对比图
型号 DTC143ZE DTC143ZET1
描述 数字晶体管（ BRT ） R1 = 4.7千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 kNPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SC-75-3 SOT-416
额定电压(DC) - 50.0 V
额定电流 - 100 mA
极性 NPN NPN
耗散功率 - 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.1A 100mA
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
最小电流放大倍数(hFE) 80 -
高度 - 0.75 mm
封装 SC-75-3 SOT-416
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR)
最小包装 3000 -
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead