1N647-1和JANTXV1N647-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N647-1 JANTXV1N647-1 JANTX1N647-1

描述 硅整流二极管 Silicon Rectifier DiodesRectifier Diode, 1Element, 0.15A, 12V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2Pin高浪涌电流和峰值脉冲功率为敏感电路的瞬态电压保护 High surge current and peak pulse power provides transient voltage protection for sensitive circuits

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-204AH DO-35 DO-35

正向电压 1V @400mA 1V @400mA 1V @400mA

钳位电压 22.6 V 22.6 V -

测试电流 10 mA 10 mA -

正向电流 400 mA 400 mA 400 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W -

击穿电压 13.6 V 13.6 V -

正向电压(Max) 1V @400mA - -

正向电流(Max) 400 mA - 400 mA

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

封装 DO-204AH DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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