对比图
型号 2N6849 JANS2N6849
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.5 A, -100 V, 0.3 ohm, -10 V, -4 VTrans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - -
引脚数 3 3
封装 TO-205 TO-205
上升时间 140 ns -
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
下降时间 140 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.3 Ω -
耗散功率 25 W -
封装 TO-205 TO-205
产品生命周期 Active Active
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free -
军工级 Yes -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -