IXDF602SIATR和IXDF602SITR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDF602SIATR IXDF602SITR IXDF602SIA

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2AIXD 系列 双 低压侧 2 A 超快 MOSFET 驱动器 表面贴装 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2 2 2

输出电流(Max) - - 2 A

下降时间(Max) 15 ns 15 ns 15 ns

上升时间(Max) 15 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

上升时间 15 ns - -

下降时间 15 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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