MMBT3906L和MMBT3906LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT3906L MMBT3906LT3G SMBT3906E6327

描述 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor(NPN Silicon)NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管通用 PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) - -40.0 V -40.0 V

额定电流 - -200 mA -200 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 225 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @10mA, 1V 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW 330 mW

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

长度 - 3.04 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司