对比图
型号 FDS6670AS FDS6670AS_NL FDS6670S
描述 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
引脚数 8 - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13.5 A 13.5A 13.5 A
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.5 A - -
漏源极电阻 9.00 mΩ - 9.00 mΩ
耗散功率 2.5W (Ta) - 2.5 W
输入电容 1.54 nF - -
栅电荷 27.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - 10.0 V
上升时间 5 ns - -
输入电容(Ciss) 1540pF @15V(Vds) - -
额定功率(Max) 1 W - -
下降时间 18 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -