IS42VM16160E-6BLI和IS42VM16160K-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16160E-6BLI IS42VM16160K-6BLI

描述 Ic Sdram 256Mbit 166MHz 54bga256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 54

封装 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 - 110 mA

位数 - 16

存取时间 - 6 ns

存取时间(Max) - 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) - 1.95 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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