IXTK600N04T2和IXTX600N04T2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK600N04T2 IXTX600N04T2

描述 TO-264 N-CH 40V 600AN沟道 40V 600A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-247-3

输出接口数 - 1

输出电压 - 40 V

输出电流 - 600 A

供电电流 - 200 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1250W (Tc) 1250 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 600A 600A

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) 40000pF @25V(Vds) 40000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1250 W

下降时间 - 250 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc)

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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