对比图
型号 SI4168DY-T1-GE3 SI4660DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOICMOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
极性 - N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) - 23.1 A
输入电容(Ciss) 1720pF @15V(Vds) 2410pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free