MXPLAD30KP33AE3和MXPLAD30KP33AE3TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXPLAD30KP33AE3 MXPLAD30KP33AE3TR MPLAD30KP33AE3

描述 33V 30000W33V 30000WTvs Diode 33vwm 53.3vc Plad

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SMD - SMD

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 36.7 V - 36.7 V

最大反向电压(Vrrm) 33V 33V -

封装 SMD - SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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