对比图
型号 IRFW830BTM NTE2398 SIHD5N50D-E3
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RNTE ELECTRONICS NTE2398 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 4.5A TO-220MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 D2PAK TO-220 TO-252-3
额定电压(DC) - 500 V -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 1.50 Ω 1.5 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 3.13 W 74 W 104W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500V (min) -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.50 A -
上升时间 - 16.0 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容(Ciss) - - 325pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) - - 104W (Tc)
封装 D2PAK TO-220 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
HTS代码 - 85412900951 -
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)