对比图
型号 HGTG18N120BN HGTG18N120BND
描述 54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.20 kV 1.20 kV
额定电流 54.0 A 54.0 A
针脚数 - 3
极性 - N-Channel
耗散功率 390 W 390 W
上升时间 - 22.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V
反向恢复时间 - 75 ns
额定功率(Max) 390 W 390 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 390000 mW 390 W
额定功率 390 W -
长度 15.87 mm 15.87 mm
宽度 4.82 mm 4.82 mm
高度 20.82 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99