JAN2N6283和JANTX2N6277

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6283 JANTX2N6277 JANTX2N6284

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 150 V 100 V

集电极最大允许电流 20A 50A 20A

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V 30 @20A, 4V 1250 @10A, 3V

额定功率(Max) 175 W 250 W 175 W

耗散功率 - 250 W 175 W

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW 175000 mW

封装 TO-3 TO-3 TO-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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