BSM150GD60DLC和BSM200GD60DLC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM150GD60DLC BSM200GD60DLC MWI150-06A8

描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 180A 21Pin EconoPACK 3ATrans IGBT Module N-CH 600V 226A 21Pin EconoPACK 3A分立半导体模块 150 Amps 600V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw Screw

封装 EconoPACK 3A EconoPACK 3A E3

引脚数 - - 19

耗散功率 570 W 700 W 515000 mW

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 170 A

上升时间 - - 30.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

输入电容(Cies) 6.5nF @25V - 6.5nF @25V

额定功率(Max) 570 W - 515 W

耗散功率(Max) - - 515000 mW

长度 122 mm 122 mm -

宽度 62 mm 62 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 EconoPACK 3A EconoPACK 3A E3

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

工作温度 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

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