SN75372D和SN75372DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN75372D SN75372DR SN75372DG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  SN75372D  双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.75V-24V电源, 500mA输出, 30ns延迟, SOIC-8双路 MOSFET 驱动器 8-SOIC 0 to 70MOSFET DRVR 0.5A 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.75V (min) 4.75V (min) -

输出接口数 2 2 2

输出电压 23.2 V - -

输出电流 500 mA - -

针脚数 8 - -

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

上升时间 30 ns 30 ns 30 ns

驱动器/包 2 2 2

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

电源电压 4.75V ~ 24V - -

电源电压(Max) 24 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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