IHW20N120R2和IHW20N120R3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IHW20N120R2 IHW20N120R3 IHW20N120R

描述 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diodeINFINEON  IHW20N120R3  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

额定功率(Max) 330 W - -

耗散功率(Max) 330 W 310 W -

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

额定功率 - 310 W -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 310 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.13 mm 15.9 mm

宽度 - 5.21 mm 5.3 mm

高度 - 21.1 mm 20.95 mm

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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