IDH08S120和IDH15S120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH08S120 IDH15S120 C2D10120A

描述 THINQ SiC肖特基二极管 thinQ SiC Schottky DiodethinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效,且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能,如更高的击穿电场强度和导热性,可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,InfineonZ-Rec™ 碳化硅肖特基二极管,Wolfspeed一系列 Wolfspeed SiC(碳化硅)肖特基二极管相对于标准的肖特基势垒二极管实现了显著改善。 SiC 二极管提供更高的击穿场强度和更高的导热性,在较高的切换频率下可显著减少功率损耗。 SiC 二极管是高效、高压应用(如开关模式电源和高速逆变器)下的完美选择。• 600、650、1200 和 1700 电压额定值 • 零反向恢复电流和正向恢复电压 • 温度独立的切换行为 • 极快的切换时间,损耗最小 • 正温度系数正向电压 • 设备可并联,无需进行热耗散 • 降低了对散热片的要求 • 专为用于 PFC 升压二极管应用进行优化 ### 二极管和整流器,Cree Wolfspeed

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Wolfspeed

分类 TVS二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 1.8V @7.5A 1.8 V 1.8V @10A

正向电流 7.5 A 15 A 14.5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 78 A 250 A

正向电压(Max) - 2.55 V 3 V

正向电流(Max) 7.5 A 15 A 25 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - 175 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

反向恢复时间 0 ns 0 ns -

热阻 1.5℃/W (RθJC) - -

耗散功率(Max) 100000 mW - -

长度 - 10.2 mm 10.41 mm

宽度 - 4.5 mm 4.7 mm

高度 - 15.95 mm 15.62 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Last Time Buy

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

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