OP295GSZ和OP295GSZ-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP295GSZ OP295GSZ-REEL7 TLC1078ID

描述 Analog Devices### 运算放大器,Analog Devices双/四路轨到轨运算放大器 Dual/Quad Rail-to-Rail Operational AmplifiersLinCMOSE MPOWER精密运算放大器 LinCMOSE mPOWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 18mA @5V 18mA @5V ≤30 mA

供电电流 175 µA 175 µA 29 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

共模抑制比 90 dB 90 dB 70 dB

带宽 1 kHz 85 kHz 110 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 32.0 mV/μs

增益频宽积 0.075 MHz 0.075 MHz 0.085 MHz

输入阻抗 10.0 MΩ 10.0 MΩ -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 180 µV

输入偏置电流 7 nA 7 nA 0.7 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.075 MHz 0.075 MHz 110 kHz

共模抑制比(Min) 90 dB 90 dB 70 dB

电源电压 - 3V ~ 36V 3V ~ 16V

电源电压(Max) 36 V 36 V 16 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

电源电压(DC) 15.0 V - -

耗散功率 - - 725 mW

输入补偿漂移 - - 1.00 µV/K

耗散功率(Max) - - 725 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

军工级 No No -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

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