JAN1N5526D-1和JANTX1N5526D-1

对比图

型号 JAN1N5526D-1 JANTX1N5526D-1 1N5526D

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 6.8V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DO-7,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

容差 ±1 % ±1 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

测试电流 - 1 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

长度 5.08 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 -