对比图
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 135 W 68 W
输入电容 1.77 nF -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
上升时间 14 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 667pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 135 W -
下降时间 14 ns 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135000 mW 68 W
额定电压(DC) 150 V -
额定电流 29.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 0.045 Ω 0.044 Ω
极性 N-Channel N-Channel
阈值电压 4 V 3 V
栅电荷 26.0 nC -
漏源击穿电压 150 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 29.0 A 21A
额定功率 - 68 W
针脚数 - 3
长度 10.67 mm 10.36 mm
宽度 4.83 mm 4.57 mm
高度 9.4 mm 15.95 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -