对比图
型号 BUK9506-55A BUK9535-55 AUIRL1404Z
描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定功率 - - 200 W
漏源极电阻 - - 0.0025 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 300 W - 200 W
阈值电压 - - 1.4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 154A 34A 180A
上升时间 180 ns - 180 ns
输入电容(Ciss) - - 5080pF @25V(Vds)
下降时间 235 ns - 49 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 200W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 154 A - -
长度 10.3 mm - 10.66 mm
宽度 4.7 mm - 4.82 mm
高度 9.4 mm - 16.51 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99