对比图
描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorInfineon SIPMOS 系列 Si N/P沟道 MOSFET BSO612CVGHUMA1, 2 A、3 A, Vds=60 V, 8引脚 DSO封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 P-DSO-8 PG-DSO-8
额定电流 3.00 A 3.00 A
极性 N+P N+P
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.00 A
上升时间 60.0 ns -
输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W
额定功率 - 2 W
耗散功率 - 2 W
输入电容 - 340 pF
栅电荷 - 15.5 nC
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W
封装 P-DSO-8 PG-DSO-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.45 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead