对比图
型号 FDA20N50F IXFH21N50Q FQA18N50V2
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TO-247AD N-CH 500V 21A500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 -
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 388 W 280W (Tc) 277W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 22A 21A 20.0 A
上升时间 120 ns - -
输入电容(Ciss) 3390pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 388 W - 277 W
下降时间 60 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 388W (Tc) 280W (Tc) 277W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 20.0 A
漏源极电阻 - - 265 mΩ
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 15.8 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 20.1 mm - -
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Last Time Buy Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR