RFD3055SM9A和RFD3055SM9A136

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFD3055SM9A RFD3055SM9A136

描述 N沟道 60V 12AMOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 Surface Mount -

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 12.0 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 150 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 53 W -

漏源极电压(Vds) 60 V -

漏源击穿电压 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A -

上升时间 21 ns -

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 53 W -

下降时间 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 53W (Tc) -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -

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