对比图
描述 N沟道 60V 12AMOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
封装 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 Surface Mount -
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
额定电压(DC) 60.0 V -
额定电流 12.0 A -
通道数 1 -
漏源极电阻 150 mΩ -
极性 N-Channel -
耗散功率 53 W -
漏源极电压(Vds) 60 V -
漏源击穿电压 60 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A -
上升时间 21 ns -
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 53 W -
下降时间 10 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
耗散功率(Max) 53W (Tc) -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 -