对比图
型号 BSM50GP60 MUBW50-06A7 MUBW50-06A8
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 24Pin EconoPIM2IGBT 模块，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 250000mW 24Pin
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 24 24 24
封装 EconoPIM-2 E2 E3
耗散功率 250 W 250000 mW 250000 mW
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
输入电容(Cies) - 2.8nF @25V 2.8nF @25V
额定功率(Max) - 250 W 250 W
耗散功率(Max) - 250000 mW 250000 mW
正向电压 - 1.5 V -
长度 107.5 mm 107.5 mm -
宽度 45 mm 45 mm -
高度 17 mm 17 mm 17 mm
封装 EconoPIM-2 E2 E3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -