对比图
型号 IRF150 JANTXV2N6764 JANTX2N6764
描述 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-3 TO-3
耗散功率 - 4 W 4 W
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)
封装 - TO-3 TO-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead