对比图
型号 SI7882DP-T1-GE3 SIR492DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7882DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 22A, SOICVISHAY SIR492DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 12V, 40A, SOIC, 整卷
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC
针脚数 8 8
漏源极电阻 8 mΩ 0.0047 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.9 W 4.2 W
阈值电压 1.4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 22.0 A 40.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
封装 SOIC SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free