2N5116-E3和JANTX2N5114

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5116-E3 JANTX2N5114 2N5116JAN02

描述 JFET P-CH 30V TO-18JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSJFET P-CH 30V TO-18

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Solitron Devices Vishay Siliconix

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-18-3 TO-18 TO-206

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

额定电流 -50.0 mA - -

击穿电压 45 V - -

漏源极电阻 150 Ω - -

极性 P-Channel - -

栅源击穿电压 30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -25.0 mA - -

封装 TO-18-3 TO-18 TO-206

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - - -55℃ ~ 200℃

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