BDC01DRL1G和BF422,116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDC01DRL1G BF422,116 MPSL01TRELEADFREE

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V NPN双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE RADIALSmall Signal Bipolar Transistor, 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 500 mA - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1 W 830 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 250 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.05A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @100mA, 1V 50 @25mA, 20V -

额定功率(Max) 1 W 830 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830 mW -

长度 5.21 mm 4.8 mm -

宽度 4.19 mm 4.2 mm -

高度 7.87 mm 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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