IRFR120ZPBF和STD6NF10T4

对比图

型号 IRFR120ZPBF STD6NF10T4 IRFR120TRPBF

描述 N沟道,Vdss=100V,Idss=8.7ASTMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VTO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 8.70 A 6.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.22 Ω 270 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 30 W 2.5 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.70 A 3.00 A 7.70 A

上升时间 26.0 ns 10 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 360pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 30 W 2.5 W

下降时间 - 3 ns 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 30W (Tc) 2500 mW

产品系列 IRFR120Z - -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -