对比图
型号 IXSR40N60BD1 IXXR100N60B3H1 STGW45HF60WDI
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 170000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 - 400000 mW 250000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 35 ns 140 ns 90 ns
额定功率(Max) 170 W 400 W 250 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 400000 mW 250000 mW
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.13 mm - -
宽度 5.21 mm - -
高度 21.34 mm - -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)