对比图
型号 2N6784 JANTX2N6784 2N6784.MODR1
描述 Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3Pin TO-392.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Semelab
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-39 BCY
耗散功率 - 15 W -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
上升时间 - 20 ns -
下降时间 - 20 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 15W (Tc) -
封装 - TO-39 BCY
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -