70V26L35G和IDT7026L35GB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V26L35G IDT7026L35GB 7026L35G

描述 静态随机存取存储器 16Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM高速16K ×16双口静态RAM HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAMIc Sram 256Kbit 35ns 84pga

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 84 - 84

封装 PGA-84 PGA BPGA-84

存取时间 35 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3V ~ 3.6V - 4.5V ~ 5.5V

长度 27.94 mm - 27.9 mm

宽度 27.94 mm - 27.9 mm

高度 3.68 mm - -

封装 PGA-84 PGA BPGA-84

厚度 3.68 mm - 3.68 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001 -

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