BLF6G20LS-110和BLF6G20LS-75

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-75 BLF6G20LS-110,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorRF手册第16版 RF Manual 16th editionTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT502B SOT502B SOT502B

封装 SOT502B SOT502B SOT502B

长度 - 20.7 mm -

宽度 - 9.91 mm -

高度 - 4.72 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

漏源极电阻 - 235 mΩ -

漏源击穿电压 - 65 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

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