对比图
型号 IXFE24N100 IXFN26N100P
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227SOT-227B N-CH 1000V 23A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Chassis
引脚数 - 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
极性 - N-CH
耗散功率 500 W 595W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 23A
上升时间 35 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 11900pF @25V(Vds)
下降时间 21 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 595W (Tc)
通道数 1 -
漏源极电阻 390 mΩ -
漏源击穿电压 1000 V -
额定功率(Max) 500 W -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 38.23 mm -
宽度 25.42 mm -
高度 9.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free