对比图
型号 IXTK180N15P IXTX200N10L2 IXTK200N10L2
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 VISOPLUS N-CH 100V 200AIXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 800 W 1.04 kW 1040 W
漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 180 A 200A 200A
上升时间 32 ns 225 ns 225 ns
输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 800 W 1040 W 1040 W
下降时间 36 ns 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 800W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 10 mΩ - -
阈值电压 5 V - -
反向恢复时间 150 ns - -
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -