IXFT20N80P和IXFV20N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT20N80P IXFV20N80P IXFV20N80PS

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

引脚数 3 - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 520 mΩ 520 mΩ -

耗散功率 500 W 500 W 500W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

上升时间 24 ns 24 ns -

输入电容(Ciss) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

阈值电压 5 V - -

长度 16.05 mm 11 mm -

宽度 14 mm 4.7 mm -

高度 5.1 mm 15 mm -

封装 TO-268-3 TO-220-3 PLUS-220SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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