对比图
型号 BUX48A JAN2N3902 JANTX2N6058
描述 NTE ELECTRONICS BUX48A Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 500V, 175W, 20A, 10 hFETrans GP BJT NPN 400V 3.5A 5000mW 3Pin(2+Tab) TO-3NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 3
封装 TO-3 TO-3 TO-3
耗散功率 175 W 5 W 150 W
击穿电压(集电极-发射极) 80.0 V 400 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @1A, 5V 1000 @6A, 3V
额定功率(Max) - 5 W 150 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 5000 mW 150000 mW
极性 NPN - -
直流电流增益(hFE) 10 - -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99