对比图
型号 MG200J6ES60 MWI150-06A8 MWI200-06A8
描述 GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications分立半导体模块 150 Amps 600VIGBT 模块，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw Through Hole
引脚数 - 19 21
封装 - E3 E3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 170 A 225 A
耗散功率 - 515000 mW 675000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
输入电容(Cies) - 6.5nF @25V 9nF @25V
额定功率(Max) - 515 W 675 W
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 515000 mW 675000 mW
上升时间 - 30.0 ns -
长度 - - 122 mm
宽度 - - 62 mm
高度 - - 17 mm
封装 - E3 E3
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free