对比图
型号 IXFH94N30P3 IXTK102N30P IXFQ94N30P3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-3-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.036 Ω 33 mΩ 0.036 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.04 kW 700 W 1.04 kW
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 94A 102 A 94A
输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 700W (Tc) 1040W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 300 V - -
上升时间 19 ns 28 ns -
额定功率(Max) 1040 W - -
下降时间 11 ns 30 ns -
反向恢复时间 - 250 ns -
长度 16.26 mm - 15.8 mm
宽度 5.3 mm - 4.9 mm
高度 21.46 mm - 20.3 mm
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2016/06/20
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - -