BCW66G和BCW66GLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW66G BCW66GLT1G BC817-25,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCW66G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 350 mW, 1 A, 160 hFEON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFENXP  BC817-25,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 330 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.8A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 160 60 160

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 250 mW

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 1.00 A 800 mA -

最大电流放大倍数(hFE) 400 - -

长度 2.9 mm - 3 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.93 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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