FDW256P和SI4403CDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW256P SI4403CDY-T1-GE3 FDS9435A

描述 30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8FDS9435A 系列 30 V 50 mOhm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 TSSOP-8 - SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -8.00 A - -

漏源极电阻 13.5 mΩ - 0.042 Ω

极性 P-Channel - -

耗散功率 1.3W (Ta) - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

输入电容(Ciss) 2267pF @15V(Vds) - 528pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 600 mW - 1 W

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 2500 mW

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.7 V

上升时间 - - 13 ns

下降时间 - - 9 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TSSOP-8 - SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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