1N6462US和JANTXV1N6462US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6462US JANTXV1N6462US JAN1N6462US

描述 瞬态电压抑制器 Transient Voltage SuppressorE-MELF 6V 500WTVS 500W B SQ-MELF SMD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 E-MELF E-MELF SQ-MELF

钳位电压 11 V 11 V -

最大反向电压(Vrrm) 6V 6V -

测试电流 20 mA 20 mA -

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

最小反向击穿电压 6.5 V 6.5 V 6.5 V

击穿电压 - 6.5 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 E-MELF E-MELF SQ-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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