IRFIBE20G和IRFIBE20GPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFIBE20G IRFIBE20GPBF

描述 MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FPMOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 30W (Tc) 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 530pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc)

通道数 1 -

额定功率(Max) 30 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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