对比图
型号 SI5504DC SI5504DC-T1-E3 SI5504DC-T1
描述 Complementary 30V (D-S) MOSFETMOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8Transistor,
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 -
封装 - SMD-8 -
漏源极电阻 85.0 mΩ 85 mΩ 85.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.10 W 2.1 W 1.10 W
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) - 30 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) -3.90 A to 3.90 A 2.10 A -3.90 A to 3.90 A
额定功率(Max) - 1.1 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 - SMD-8 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -