对比图
型号 IXFH12N120P IXTH12N120 IXFH12N120
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 1.35 ohm, 10 V, 6.5 VMOSFET N-CH 1200V 12A TO-247TO-247AD N-CH 1200V 12A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 1.35 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 543 W 500W (Tc) 500W (Tc)
阈值电压 6.5 V - -
漏源极电压(Vds) 1.2 kV 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) 12A - 12A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds)
下降时间 34 ns 17 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 543W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -