SN65LVDS100DR和SN65LVDS101D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDS100DR SN65LVDS101D SN65LVDS100DGKR

描述 微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATERTEXAS INSTRUMENTS  SN65LVDS101D  芯片, 差分转换器/中继器, 2GBPS, SOIC-8 新微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片电压电平转换器接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 VSSOP-8

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.00V (min) 3.00V (min)

输出电流 12.0 µA 12.0 µA -

供电电流 25 mA 50 mA 25 mA

通道数 1 1 1

耗散功率 481 mW 481 W 377 mW

输入电容 0.6 pF .6 pF 0.6 pF

输入电压(Max) 0.1 V - 0.1 V

输入电压(Min) 0.1 V - -

输出电压(Max) 0.454 V - 0.454 V

输入电流(Min) 66 μA 66 μA 66 μA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 481 mW 481 mW 377 mW

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

针脚数 - 8 -

数据速率 - 2.00 Gbps -

输入数 - 2 -

长度 4.9 mm 4.9 mm 3 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 0.97 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 VSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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