对比图
型号 FZT605 FZT605TA NJVMJD112G
描述 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 150 MHz, 2 W, 1.5 A, 5000 hFEFZT605TA 编带达林顿晶体管 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-252-3
极性 - NPN NPN
耗散功率 2 W 3 W 1750 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 120 V 100 V
集电极最大允许电流 - 1.5A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 5000 2000 @1A, 5V 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数(hFE) - - 12000
额定功率(Max) - 2 W 1.75 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
增益带宽 - 150MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) - 2 W 1750 mW
额定电压(DC) - 120 V -
额定电流 - 2.00 A -
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 5000 - -
封装 SOT-223 TO-261-4 TO-252-3
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99