MXP6KE150A和P6KE150-A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXP6KE150A P6KE150-A P6KE150AT

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 128V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - -

封装 T-18-2 - -

钳位电压 207 V - -

最大反向电压(Vrrm) 128V - -

测试电流 1 mA - -

脉冲峰值功率 600 W - -

最小反向击穿电压 143 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ - -

封装 T-18-2 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

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