对比图
型号 FCPF20N60 FCPF22N60NT STP20NM60FP
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 VFCPF22N60NT 管装STMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
安装方式 Through Hole - Through Hole
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 150 mΩ 0.14 Ω 0.25 Ω
耗散功率 39 W 39 W 45 W
阈值电压 5 V 3 V 4 V
输入电容 3.08 nF 1950 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 140 ns 16.7 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 39 W 39 W 45 W
下降时间 65 ns 4 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 39 W 39000 mW 45W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 650 V
额定电流 20.0 A - 20.0 A
通道数 1 - 1
极性 N-Channel - N-Channel
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A - 80.0 A
栅电荷 98.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.16 mm 10.36 mm 10.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 9.19 mm - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99